半導體高真空氮氣烘箱（xiāng）

半導體（tǐ）高（gāo）真空氮（dàn）氣烘箱

適用範（fàn）圍：

半導體高真空氮氣烘箱適用於各行業如光電、矽晶片、電子芯（xīn）片、電（diàn）池、線路板、電子（zǐ）電（diàn）器、製藥、化工、塑膠、矽膠等真空脫泡（pào）處理及真空狀（zhuàng）態下烘烤，可充惰性氣（qì）體，生（shēng）產車間、實驗室及科研單位測試之要求設備。

箱體規格：

1、內尺寸：600（寬）×600（深）×600（高）mm；

2、外尺寸約：900（寬）×830（深）×1520（高）mm；以實物為準（zhǔn）；

3、箱體結構：為一體式，真空泵置於機台下部；

4、隔層：內分二層，不鏽鋼（gāng）網板二片，可活動（dòng）抽出；

5、麵板安裝：控製麵板安裝於機台下方（fāng）；

6、開門方式：單由右至左開啟，門上帶可視窗W300*H350mm；

7、內材質為：不（bú）鏽鋼板（bǎn），厚5.0mm；內箱加強處理，抽真空不變形；

8、外材質為：冷軋鋼板,厚1.2mm,粉體烤漆處（chù）理(米白色)；

9、保溫材質為：耐高溫岩棉，保溫效果好（hǎo）；

10、安裝帶刹車活（huó）動腳輪，可任意推動；

控溫係統：

1、溫度控製（zhì）器為（wéi）數顯儀表，單點式控溫，可自動演算，PV/SV同時顯示，按鍵設定；

2、定時功能：采用歐姆龍計時器，時間（jiān）結束後停（tíng）止加熱及抽真空功能，同時（shí）報警提示

3、感溫線（K）型（xíng）；

4、輸出（chū）為（wéi）3-32V；

5、電流控製器（qì）為：PID+SSR固態繼電（diàn）器；

6、加熱方式：采用三麵（miàn）加（jiā）熱的熱（rè）輻射的方式（shì）；（左、右（yòu）、底（dǐ）三麵）

7、發熱（rè）材料為：不鏽鋼高溫加熱管；

8、溫度範圍：常溫+30℃～250℃（之間可調可控）；

9、控製精度：±0.5℃;

10、顯示（shì）精度：0.1℃；  

11、箱內溫度偏差（chà）：±5.0℃.(無真空下空載測試)

真（zhēn）空係統：

1、門（mén）口密封方式：機（jī）台門口采用高密度性的矽膠（jiāo）密封條（tiáo）密（mì）封；

2、真空顯（xiǎn）示方式：采用真空（kōng）計（jì）顯示真空度；

3、真空控製方式為：自（zì）動控製（zhì），抽真空達到設定值時停止真空泵工作，低於上限值時自動補（bǔ）真空，以此循環工作（zuò）保持真（zhēn）空恒定狀（zhuàng）態；

4、泄壓（yā）方式：試驗結束（shù）後手動啟（qǐ）動泄壓功能泄壓，采用電磁閥（fá）控製泄壓；

5、機台真空度範圍：≤1.0×105～1.0×101  (Pa)，【即10pa】

6、真空保壓泄漏率：0.01Pa/L每秒；

7、真（zhēn）空管：采用不鏽（xiù）鋼真空波紋管；

8、真空感應器：采用KF16真空（kōng）電阻規管；

9、真空設定方式：根（gēn）據需要真空度可自由設定，如真（zhēn）空度為（100Pa）儀表設定(1.0 E  2)，如真空度為（10Pa）儀表設定(1.0 E  1)等等, 采用上、下限控製抽真空及停止抽真空；

10、真空控製閥：采用（yòng）KF40接頭高真空帶充氣壓差閥；

11、真（zhēn）空泵配置：采用雙級直連式油泵.

12、真空度顯示方式：采用電阻真空計顯示真度值,顯示方式為科學計數法方式

充氮氣裝置：

1、調壓（yā）閥：控製氮氣壓（yā）力，正常使用下氮氣壓力調為2-3公斤左右；

2、流量計：控製氮氣進（jìn）入箱內的大小（xiǎo），量程為10L/min-60Lmin；

3、充氮管道：氮氣管道進入到箱內正後麵，外配2米長8mm氣管；

4、充氮氣口：一個氮氣孔（kǒng）充入到箱內；

5、氮氣源：使用方公（gōng）司提供氮（dàn）氣源.

電（diàn）源功率：

1、電壓：AC 380V/50Hz三相五線製

2、電流：14A       

3、功率（lǜ）：9.0KW

保護係統：  

1、超溫保護係統：溫度失（shī）控時（shí），超過（guò）超溫（wēn）保護設定溫度時，自動停止加熱供電，從而保護產品及機器的安全（quán）。

2、電路保護係統：接地保護、快遞保（bǎo）險、缺相保護、過載保護、斷路開關等；